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【2h】

Effect of AlN growth temperature on trap densities of in-situ metal-organic chemical vapor deposition grown AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors

机译：AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响

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作者
Freedsman, Joseph J.; Kubo, Toshiharu; Egawa, Takashi; クボ, トシハル; エガワ, タカシ; 久保, 俊晴; 江川, 孝志;
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年度 2012
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正文语种 eng
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